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連接件可以連接激光器模組的n面及第二激光器模組的n面，以實現激光器模組與第二激光器模組的并聯設置。本申請進一步提出第五實施例的半導體激光器，如圖6所示，本實施例半導體激光器601與上述實施例半導體激光器401的區別在于：本實施例的連接件607連接激光器模組608的p面及第二激光器模組609的p面，第二連接件610連接第二激光器模組609的n面及第三激光器模組611的p面。具體地，激光器模組608的巴條602的上表面為半導體n面，巴條602的下表面為半導體p面，第二激光器模組609的第二巴條603的上表面為半導體p面，第二巴條603的下表面為半導體n面，第三激光器模組611第三巴條604的上表面為半導體p面，第三巴條604的下表面為半導體n面，上電極層605及第三下電極層606與負電極引線a連接，下電極層605和與正電極引線b連接。通過上述設置，能夠實現三個激光器模組的串并聯設置，能夠減少激光器的電極引線數量。本申請進一步提出第六實施例的半導體激光器，如圖7所示，本實施例半導體激光器701與上述實施例半導體激光器601的區別在于：本實施例的連接件713連接激光器模組714的p面及第二激光器模組715的p面，第二連接件717連接第二激光器模組715的n面及第三激光器模組716的n面。江蘇智能半導體激光加工按需定制。安徽節能半導體激光加工直銷價

本發明涉及激光技術領域，特別涉及一種半導體激光器。背景技術：半導體激光器所發出的光在垂直于p-n結方向(通稱快軸)具有較大發散角和較窄的發光區，快軸發散角通常為30°～60°，厚度通常小于1μm；平行于p-n結方向(通稱慢軸)具有較小發散角及較大的發光區，慢軸發散角通常為8°～12°，發光條的寬度通常在100～200μm。如何提高大的發光條寬度的半導體激光器芯片cos發出的光耦合進入直徑和na(數值孔徑)較小的光纖內的耦合效率，一直是一個難題。技術實現要素：鑒于上述問題，本申請提出了一種半導體激光器，以便解決或者部分解決上述問題。為了實現上述目的，本發明采用了如下技術方案：本發明公開一種半導體激光器，該半導體激光器包括：半導體激光器芯片cos、快軸準直透鏡、光束整形機構和光纖輸入端結構；所述光束整形機構包括：套筒，以及設置在所述套筒內的慢軸準直透鏡、自聚焦透鏡和限位環；所述光纖輸入端結構包括：陶瓷插針和穿設在所述陶瓷插針內的光纖；所述陶瓷插針的一端安裝于所述套筒內，所述限位環位于所述陶瓷插針和所述自聚焦透鏡中間，實現所述自聚焦透鏡和所述光纖的光學定位。上海節能半導體激光加工價錢江蘇大型半導體激光加工批發廠家。

所述封裝外殼包括底板和管壁；所述半導體激光器芯片cos和所述快軸準直透鏡設置在所述底板上；所述圓形通孔開設在所述管壁上。進一步地，所述管壁通過焊接的方式與所述底板連接。綜上所述，本發明的有益效果是：本發明公開的半導體激光器通過半導體激光器芯片cos輸出光束的光軸與快軸準直透鏡的光軸及光束整形機構的光軸在同一條直線上的設置，使其適用于大的發光條寬的半導體激光器芯片cos耦合進芯徑較小的光纖內，耦合效率高，可靠性好，操作簡單，造價低廉。在本發明的推薦實施例中，本發明通過膠粘的方式實現耦合機構和管壁之間的連接，與傳統焊接的方式對比，避免了焊接煙塵和助焊劑的污染，提高了產品的可靠性。附圖說明圖1為本發明一個實施例提供的一種半導體激光器結構示意圖；圖2為本發明一個實施例提供的一種半導體激光器光束整形機構和光纖輸入端結構的示意圖；圖3為本發明一個實施例提供的一種半導體激光器的套筒的示意圖。圖中附圖標記含義如下：1、半導體激光器芯片cos，2、底板，3、快軸準直透鏡，4、光束整形機構，5、管壁，6、第二法蘭，7、光纖輸入端結構，41、套筒，42、慢軸準直透鏡，43、自聚焦透鏡，44、限位環，71、陶瓷插針，72、法蘭。

普聚智能系統是一家以鐳射應用、方案設計、裝備製造為的高技術科技公司，服務行業包括半導體集成電路封裝、顯示面板、FPC、新能源等。應用涵蓋了IC芯片的鐳射切割、鉆孔、刻線和標記，動力電池部件的切割和焊接，顯示面板精密標刻、脆性材料（玻璃/石英/藍寶石/陶瓷等）微加工工藝。公司掌握先進封裝中的鐳射加工製程，從工藝開發、測試，到設備規格制定、方案設計和設備建造，直至導入量產，優異的服務已被國際消費電子廠商認可，成為其系統級封裝(SiP)模組產線的關鍵供應商。公司代理國內外先進的激光精密加工、無掩板鐳射直接成像曝光（LDI）等設備，并提供相關的工藝開發、培訓、維保等方面的技術服務。公司榮獲2018年吳中區雙創、2019年蘇州市雙創，2019年獲批國家高新技術企業。用于在集成電路封裝體上鉆孔；

半導體激光器301與上述實施例半導體激光器201的區別在于：本實施例半導體激光器301進一步包括第二熱沉基板302，第二激光器模組304位于熱沉基板308的下表面與第二熱沉基板302的上表面之間。具體地，第二激光器模組305的第二下電極層303位于第二激光器模組305的第二巴條304與第二熱沉基板302的上表面之間。本實施例通過設置第二熱沉基板302，能夠增加對第二激光器模組305的散熱。本實施例的第二熱沉基板302與熱沉基板308相同，這里不贅述。當然，在其它實施例中，還可以在激光器模組的上電極層上設置熱沉基板?？蛇x地，本實施例的連接件309連接激光器模組310的p面及第二激光器模組305的n面。具體地，本實施例的激光器模組310的巴條306的上表面為半導體n面，巴條306的下表面為半導體p面，第二激光器模組305的第二巴條304的上表面為半導體n面，第二巴條304的下表面為半導體p面，激光器模組310的上電極層307與負電極引線a連接，第二激光器模組305的第二下電極層303與正電極引線b連接。其中，圖3中巴條上的橢圓標識表示半導體激光器模組的出光位置，即靠近半導體巴條的p面。在將半導體巴條的n面連接電源負極，將半導體巴條的p面連接電源正極時，半導體巴條工作。江蘇工業半導體激光加工供應商家。廣東制造半導體激光加工有哪些

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于是LES發展成為多功能激光交戰系統(MILES)。同年,賽羅克斯電光系統公司接受了全套MILES工程的研制合同,向陸軍提供8萬多套裝備,用于地面作戰模擬。此外,該公司還研制了空對地作戰系統以及MILES空防樣機。全世界有美、英、瑞(典)三國出售MILESII/SAWE系統;北約國家、以色列、阿根廷、俄羅斯、中國都在開發這種系統。深海光通信：半導體激光器是一種理想光源,具有抗干擾、保密性好等優點。激光對潛通信光源藍綠光是海水的通信窗口(460～540nm),穿透深度約300ft,潛艇可用藍綠光和衛星或航空母艦進行通信聯絡。倍頻半導體高功率激光器列陣(波長在920～1080nm)就是一種這樣的光源。半導體激光通信：半導體激光器在衛星通信技術中只需要較小的望遠鏡和較低的發射功率,就能實現光的自由空間傳輸并獲得極高的數據率傳輸。激光通信技術可用于軌道衛星間的相互通信及衛星與地面站的通信。半導體激光器特性編輯laserdiode是以半導體材料為工作物質的一類激光器件。除了具有激光器的共同特點外，還具有以下優點：(1)體積小，重量輕；(2)驅動功率和電流較低；(3)效率高、工作壽命長；(4)可直接電調制；(5)易于與各種光電子器件實現光電子集成；(6)與半導體制造技術兼容；可大批量生產。安徽節能半導體激光加工直銷價

普聚智能系統（蘇州）有限公司主要經營范圍是機械及行業設備，擁有一支專業技術團隊和良好的市場口碑。普聚智能致力于為客戶提供良好的3DM-S型3D鐳雕機，多軸搖籃3D鐳雕機，多頭大型工件3D鐳雕機，CO2激光柔性沖切工作站，一切以用戶需求為中心，深受廣大客戶的歡迎。公司將不斷增強企業重點競爭力，努力學習行業知識，遵守行業規范，植根于機械及行業設備行業的發展。普聚智能立足于全國市場，依托強大的研發實力，融合前沿的技術理念，及時響應客戶的需求。

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